服務(wù)熱線:18000217778
半導(dǎo)體制造商主要用拋光Si片(PW)和外延Si片作為IC的原材料。20世紀(jì)80年代早期開始使用外延片,它具有標(biāo)準(zhǔn)PW所不具有的某些電學(xué)特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
歷史上,外延片是由Si片制造商生產(chǎn)并自用,在IC中用量不大,它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2~20μm,而襯底Si厚度為610μm(150mm直徑片和725μm(200mm片)。
外延沉積既可(同時(shí))一次加工多片,也可加工單片。單片反應(yīng)器可生產(chǎn)出質(zhì)量最好的外延層(厚度、電阻率均勻性好、缺陷少);這種外延片用于150mm“前沿”產(chǎn)品和所有重要200mm產(chǎn)品的生產(chǎn)。
外延產(chǎn)品
外延產(chǎn)品應(yīng)用于4個(gè)方面,CMOS互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體支持了要求小器件尺寸的前沿工藝。CMOS產(chǎn)品是外延片的最大應(yīng)用領(lǐng)域,并被IC制造商用于不可恢復(fù)器件工藝,包括微處理器和邏輯芯片以及存儲(chǔ)器應(yīng)用方面的閃速存儲(chǔ)器和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。分立半導(dǎo)體用于制造要求具有精密Si特性的元件?!捌娈悺保╡xotic)半導(dǎo)體類包含一些特種產(chǎn)品,它們要用非Si材料,其中許多要用化合物半導(dǎo)體材料并入外延層中。掩埋層半導(dǎo)體利用雙極晶體管元件內(nèi)重?fù)诫s區(qū)進(jìn)行物理隔離,這也是在外延加工中沉積的。
目前,200mm晶片中,外延片占1/3.2000年,包括掩埋層在內(nèi),用于邏輯器件的CMOS占所有外延片的69%,DRAM占11%,分立器件占20%.到2005年,CMOS邏輯將占55%,DRAM占30%,分立器件占15%.
LED外延片--襯底材料
襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù),襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個(gè)方面:
1、結(jié)構(gòu)特性好,外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小
2、界面特性好,有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng)
3、化學(xué)穩(wěn)定性好,在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕
4、熱學(xué)性能好,包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小
5、導(dǎo)電性好,能制成上下結(jié)構(gòu)
6、光學(xué)性能好,制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小
7、機(jī)械性能好,器件容易加工,包括減薄、拋光和切割等
來自:豪天照明
版權(quán)所有@2023江西碩豐照明科技有限公司 備案號(hào):贛ICP備2024034584號(hào)